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专利摘要显现，本发明触及一种根据双折射晶体的谐振腔发光二极管、制备办法及其使用，发光二极管包含顺次堆叠设置的衬底层、反射层、p‑GaN层、有源层、n‑GaN层、端电极层与高对比度光栅层。其间有源层被装备为双折射量子阱结构，使得经过所述有源层的光波发生正交线偏振光；高对比度光栅层用于对所述正交线偏振光进行过滤，使得所述发光二极管辐射出单一方向的线偏振光。在制备发光二极管的过程中，选用倒装工艺，先在蓝宝石衬底上顺次堆积有源微腔结构(p‑GaN层、有源层、n‑GaN层)、反射层和衬底层，然后剥离去除蓝宝石衬底后，在有源微腔结构违背反射层的一侧经过堆积刻蚀制备高对比度光栅层和端电极层，以完成对发光二极管的制备。
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